Научная тематика работы: «Разработка элементов хранения резистивной памяти». Квалификационные требования: стаж работы – не менее 15 лет. Ученая степень – к.ф.-м.н. Опыт работы в области нанотехнологий: не менее 10 лет. Примерный перечень количественных показателей результативности труда:  Не менее 20 научных статей, в том числе в высокорейтинговых журналах Наличие допусков, сертификатов, и т.п. допуск по форме:  Не требуется Срок трудового договора: 31.12.2022 г. Условия работы: согласно трудовому договору Перечень трудовых функций Ожидаемые результаты: реализация трудовых функций:  Разработка методологии получение новых сегнетоэлектрических материалов на основе нитридов, исследование их транспортных и электрофизических свойств в рамках темы: «Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти»;  Разработка методики исследований электронной структуры E(k) сегнетоэлектрических материалов методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и её эволюции при переходе в сегнетоэлектрическое состояние в рамках проекта «Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти»;  написание научных статей по теме исследование электронной структуры методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым (и спиновым) разрешением в рамках темы: «Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти»; Размер оклада:. 42 500 руб. Контакты для ответа на вопросы претендентов по существу работы: +7 (926) 589-46-77; shadrin.av@mipt.ru